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      • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      70

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      74

      最（zuì）大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

      47

      通（tōng）道极性：

      N沟（gōu）道

      封装（zhuāng）/温度(℃)：

      TO-247-3L/-55~125

      描述：

      650V,74mΩ,47A,N沟道基于超级结技术（shù）的功率MOSFET


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