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      • 漏（lòu）源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      170

      导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大漏极（jí）电流（liú）Id(on)(A)：

      20

      通道极性（xìng）：

      N沟（gōu）道

      封装/温度(℃)：

      TO-252-3L/-55~125

      描述：

      650V,190mΩ,20A,N沟道基（jī）于超（chāo）级结技（jì）术的功率MOSFET



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