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    1. 漏源电压BV DSS (V)(Min.):

      600

      导(dǎo)通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

      65

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

      70

      最大漏极电流Id(on)(A):

      47

      通道极性:

      N沟道

      封装(zhuāng)/温(wēn)度(℃):

      TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

      描述(shù):

      600V,70mΩ,47A,N沟道基于超级结(jié)技(jì)术的功率(lǜ)MOSFET



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