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产(chǎn)品中心
漏源电压BV DSS (V)(Min.): | 600 |
导(dǎo)通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 65 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 70 |
最大漏极电流Id(on)(A): | 47 |
通道极性: | N沟道 |
封装(zhuāng)/温(wēn)度(℃): | TO-263-2L(D2PAK)/-55~125 |
描述(shù): | 600V,70mΩ,47A,N沟道基于超级结(jié)技(jì)术的功率(lǜ)MOSFET |
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