leyu





      • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      170

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

      20

      通道极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-220-3/-55~125

      描述：

      600V，190mΩ，20A，N沟道基于超级结技术（shù）的功（gōng）率MOSFET


      leyu

      leyu